純進(jìn)口HQ graphene二硫化鎢晶體

產(chǎn)品名稱(chēng)

中文名稱(chēng):純進(jìn)口HQ graphene二硫化鎢晶體

英文名稱(chēng)：HQ graphene 2H-WS2 （Tungsten Disulfide）

產(chǎn)品概述

2H-WS2是一種間接帶隙為~1.3 eV的半導(dǎo)體。單層2H-WS2具有直接帶隙。這些層通過(guò)范德華相互作用堆疊在一起，可以剝離成薄的二維層。二硫化鎢屬于六族過(guò)渡金屬二硫族化合物（TMDC）。在HQ石墨烯中制備的2H相WS2晶體具有典型的橫向尺寸為~0.8-1 cm，六角形和金屬外觀。2H WS2為n型半導(dǎo)體，室溫下典型載流子密度為~1014cm-3。

2H-WS2 is a semiconductor with an indirect band gap of ~1.3 eV. Monolayer 2H-WS2 has a direct band gap. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. Tungsten Disulfide belongs to the group-VI transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The 2H phase WS2 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.8-1 cm, are hexagonal shaped and have a metallic appearance. The 2H WS2 is n-type semiconductor, having a typical charge carrier density of ~1014cm-3 at room temperature. 

技術(shù)參數(shù)

純度: 99.995%

晶體尺寸: ~10mm

顏色: 銀灰色

產(chǎn)品特點(diǎn)

Electrical properties：Semiconductor, n-type

Crystal structure：Hexagonal

Unit cell parameters：a = b = 0.315 nm, c = 1.227 nm, α = β = 90, γ = 120°

Type：Synthetic

應(yīng)用領(lǐng)域

在潤(rùn)滑領(lǐng)域：

固體潤(rùn)滑劑：由于其層狀結(jié)構(gòu)和低摩擦系數(shù)，可作為高性能的固體潤(rùn)滑劑。例如，在航空航天領(lǐng)域，用于減少機(jī)械部件之間的摩擦和磨損，提高機(jī)械系統(tǒng)的可靠性和壽命。

工業(yè)機(jī)械潤(rùn)滑：應(yīng)用于各種工業(yè)機(jī)械的潤(rùn)滑，如汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)、重型設(shè)備等。

在電子學(xué)領(lǐng)域：

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）：可用于制造高性能的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。比如在集成電路中，能夠?qū)崿F(xiàn)更小的尺寸和更低的功耗。

光電探測(cè)器：對(duì)光具有較好的響應(yīng)，可用于制造光電探測(cè)器，用于光通信、圖像傳感等領(lǐng)域。

在能源領(lǐng)域：

鋰離子電池：作為鋰離子電池的電極材料，具有較高的比容量和良好的循環(huán)性能。

析氫反應(yīng)催化劑：在電解水制氫過(guò)程中，可作為析氫反應(yīng)的催化劑，降低反應(yīng)的過(guò)電位，提高產(chǎn)氫效率。

在催化領(lǐng)域：

加氫脫硫：在石油化工中，用于加氫脫硫反應(yīng)，提高燃油的質(zhì)量。