CVD氧化硅/硅基底單層二硫化鉬連續(xù)薄膜

產(chǎn)品名稱

中文名稱: CVD氧化硅/硅基底單層二硫化鉬連續(xù)薄膜

英文名稱：monolayer continuous film of MoS2 on SiO2/Si  CVD

產(chǎn)品概述

CVD法（化學氣相沉積法）在制備二硫化物材料方面發(fā)揮著重要作用，特別是針對二維層狀金屬二硫化物（如二硫化鉬MoS2、二硫化鎢WS2等）的制備。在制備二硫化物材料時，CVD法利用氣態(tài)前驅(qū)體（如金屬源和硫源）在加熱的基片表面發(fā)生化學反應(yīng)，生成所需的二硫化物薄膜。根據(jù)目標二硫化物的種類，常見的金屬源包括金屬粉末、金屬鹵化物等，硫源則包括硫粉、硫化氫等。

二維層狀金屬二硫化鉬因其優(yōu)異的光電特性、可調(diào)節(jié)帶隙和優(yōu)異的空氣穩(wěn)定性等性能而備受關(guān)注，在光電子器件、傳感器、能量存儲等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。例如，二硫化鉬和二硫化鎢等二維材料已被廣泛應(yīng)用于光電探測器、太陽能電池、超級電容器等領(lǐng)域。

技術(shù)參數(shù)

形態(tài)：薄膜

MoS2薄膜尺寸：約8 mm*8 mm

厚度：0.6～0.8 nm

基底：SiO2/Si

氧化層：300nm

產(chǎn)品特點

大面積制備：CVD法可以制備出大面積且均勻的二硫化鉬薄膜，滿足大規(guī)模應(yīng)用的需求。

高質(zhì)量：通過優(yōu)化反應(yīng)條件，可以制備出高質(zhì)量、高純度的二硫化鉬薄膜，具有優(yōu)異的物理和化學性能。

可控性：CVD法可以精確控制薄膜的厚度、形貌和結(jié)晶質(zhì)量等參數(shù)，為制備具有特定功能的二硫化鉬材料提供了可能。

應(yīng)用

晶體管：二維金屬二硫化鉬因其的電子結(jié)構(gòu)，可用于制備高性能的晶體管。CVD法能夠制備出大面積、高質(zhì)量的薄膜，滿足晶體管制造的需求。

傳感器：二硫化鉬材料在傳感器領(lǐng)域也有廣泛應(yīng)用，如濕度傳感器、氣體傳感器等。CVD法制備的二硫化物薄膜具有優(yōu)異的敏感性和穩(wěn)定性，能夠提高傳感器的性能。

光電探測器：二維金屬二硫化鉬因其優(yōu)異的光吸收效率和可調(diào)節(jié)帶隙，被廣泛應(yīng)用于光電探測器中

超級電容器：CVD法制備的二硫化鉬薄膜能夠提供更大的活性面積和更好的電子傳輸性能，從而提高超級電容器的能量密度和功率密度。

催化劑：CVD法制備的二硫化鉬薄膜具有高比表面積和均勻的形貌，有利于催化反應(yīng)的進行。

柔性電子：隨著柔性電子技術(shù)的發(fā)展，二維二硫化鉬因其良好的柔韌性和機械性能，可用于制備柔性電子器件的電極或功能層。